SJ（超结）MOSFET采⽤基于电荷平衡的器件结构，导通电阻明显下降，在⾼压应⽤时优势尤其突出。常规VDMOS器件结构，RDs (ON )与BV是⽭盾的，当BV提高，EPI掺杂浓度减小时，导通电阻必然变⼤；而超级结是在提⾼NEPI掺杂浓度的同时，利⽤在NEPI中加⼊P柱，形成更⼤的PN结，在器件反偏时形成很厚的PN耗尽层，以达到⾼的隔离电压，从⽽使其RDs(oN）/BV打破原有VDMOS的极限。
| Part Number | VDS (V) | ID (A) 25℃ | PD(W) 25℃ | RDS(ON)(mΩ) (VGS=10V)（Max） |
Qg(nC)(VGS=10V) （Typ） |
VGS(V) | VGS(th)(V) （Typ） |
Package | 是否符合车规要求 |
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