SGT MOSFET是对Trench MOS的⼀种改良结构。较传统Trench MOSFET，SGT MOSFET在栅电极下方增加了⼀块多晶硅电极，即屏蔽电极或称耦合电极。屏蔽电极与源电极相连，即实现了屏蔽栅极与漂移区的作⽤，减小了⽶勒电容，器件的开关速度得以加快，同时⼜实现了电荷耦合效应，减小了漂移区临界电场强度，器件的导通电阻得以减小，开关损耗能够更低。
| Part Number | VDS (V) | ID (A) 25℃ | PD(W) 25℃ | RDS(ON)(mΩ) (VGS=10V)（Max） |
Qg(nC)(VGS=10V) （Typ） |
VGS(V) | VGS(th)(V) （Typ） |
Package | 是否符合车规要求 |
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